次世代パワー半導体に関するセミナー開催のお知らせ

次世代パワー半導体と結晶欠陥評価技術セミナー開催

2025年11月18日（火）、株式会社シーエムシー・リサーチが主催する「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」セミナーが開催されます。近年、パワー半導体技術は進化を続けており、特に4H-SiC、GaN、β-Ga2O3などのワイドギャップ半導体は、優れた性能を持っています。このセミナーでは、これらの材料に関連する最新の評価技術と、その重要性について学ぶことができます。

セミナーの概要

講師には、三重大学の姚永昭教授が招かれ、次世代パワー半導体に関する結晶欠陥の評価手法や、その技術動向についての講演を行います。開催時間は13:30から16:30までで、Zoomを通じたライブ配信が行われ、見逃し配信も予定されています。受講料は一般で44,000円（税込）、メルマガ登録者は39,600円（税込）、アカデミック価格は26,400円（税込）となります。

講演内容

講義では、結晶の構造、結晶中の欠陥、欠陥の評価手法、並びにそれらがデバイスに与える影響について、基礎からしっかりと学ぶことができる内容となっています。また、最新の評価手法として、放射光X線トポグラフィー、透過型電子顕微鏡、エッチピット法なども紹介される予定です。

参加者は、結晶の評価に従事する研究者や技術者が対象で、問答の時間も設けられていますので、自らの研究や業務に応じた疑問を解消する絶好の機会です。今回のセミナーは、技術的な知識を深めるだけでなく、業界の最新の動向についても把握できます。

セミナー参加方法

参加希望者は、シーエムシー・リサーチの公式ウェブサイトから申し込みが可能です。申し込み後、メールにて視聴用のURLが送付されます。参加するにあたっての事前準備として、事務所や自宅などでZoomの推奨環境を整えておくことをお勧めします。

まとめ

本セミナーは、次世代パワー半導体技術に関心のある全ての方々にとって、貴重な知識を得るチャンスです。新たな技術革新が進む中、自らのスキルを磨くためにも、ぜひご参加ください。セミナーを通じて、半導体に関する最新の情報と技術動向を学び、研究や技術開発に活かすことが期待されます。参加者の皆さまのご応募をお待ちしております。