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次世代パワー半導体セミナー開催のお知らせ

2025年9月29日（月）に、株式会社シーエムシー・リサーチが主催するセミナー「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」が開催されます。このセミナーは、半導体業界の研究者や技術者にとって、非常に刺激的な内容となることが期待されています。

セミナーの概要

本セミナーの講師として迎えるのは、三重大学の姚永昭教授です。徐々に進化を遂げているワイドギャップ半導体（4H-SiC、GaN、β-Ga2O3など）をテーマに、これらの材料の結晶評価技術に関する最新の知見を提供します。特に、結晶の欠陥がデバイス特性に与える影響に焦点を当て、性能向上に役立つ知識が得られる内容となっています。

開催情報

• - 日時: 2025年9月29日（月） 13:30～16:30
• - 形式: Zoomによるライブ配信 + 見逃し配信アーカイブ（資料付き）
• - 参加費: 一般44,000円（税込）、メルマガ登録者は39,600円（税込）、アカデミック価格26,400円（税込）

セミナーの具体的な内容

このセミナーでは、結晶中の欠陥に関する基礎知識から、最新の評価手法について学ぶことができます。具体的には以下のトピックが取り扱われます：

• - 結晶の構造とその評価方法
• - 欠陥の種類やその評価技術の詳細
• - 欠陥がデバイス性能に与える悪影響

特に重要なのは、結晶成長段階で生じる欠陥がデバイスの信頼性に及ぼす影響です。強い共有結合を持つワイドギャップ半導体は、その特性から高電力密度や低損失、高温での安定性を誇りますが、結晶成長過程での格子欠陥は、デバイス性能に深刻な影響を与える可能性があります。参加者は、これらの問題を解決するための実践的な知識を得ることができるでしょう。

視聴方法と投稿手順

セミナーに参加希望の方は、シーエムシー・リサーチの公式サイトから申し込みが必要です。参加後は、イベントに用意される視聴用リンクを通じて、リアルタイムで講義を受けたり、後日アーカイブを視聴することも可能です。これにより、当日参加できない場合でも内容を復習できるのは大きな魅力です。

講師紹介

姚永昭教授は、筑波大学で博士号を取得後、物質材料研究機構でのポスドクを経て、ファインセラミックスセンターの主任研究員を務めていました。彼は次世代パワーデバイス用のワイドギャップ化合物半導体の評価法の開発において、一貫して研究を続けてきました。その豊富な経験が、今回のセミナーでも惜しみなく披露されます。

まとめ

このセミナーは、先端技術や市場動向を把握したいと考える技術者や研究者にとって、貴重な学びの場となるでしょう。ぜひ参加して、次世代の半導体技術に関する理解を深めてみてはいかがでしょうか。参加申し込みは、公式サイトから簡単に行えます。

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