次世代自動車の未来を切り拓くSiC/GaNパワーデバイスセミナー開催情報

次世代自動車の未来を切り拓くSiC/GaNパワーデバイスセミナー

2025年12月8日（月）、株式会社シーエムシー・リサーチが主催するオンラインセミナーが開催されます。テーマは「次世代自動車・データセンタ用サーバ電源高性能化に対応するSiC/GaNパワーデバイスの技術動向と課題」です。このセミナーでは、次世代自動車やデータセンターにおける電源技術の最新動向や、SiC/GaNパワーデバイスの多様な利点について学ぶことができます。

セミナーの詳細

- 開催日時: 2025年12月8日（月）10:30～16:30
- 講師: 岩室憲幸氏（筑波大学数理物質系物理工学域教授）
- 参加方法: Zoom配信（資料付き）
- 受講料:

- 一般: 55,000円（税込）
- メルマガ会員: 49,500円（税込）
- アカデミック: 26,400円（税込）

このセミナーは、次世代技術の基盤となるSiC/GaNパワーデバイスの市場普及のためのポイントについて、幅広く解説される予定です。2024年にむけて、世界各国で進展する自動車の電動化に伴い、SiC/GaNデバイスの重要性は一層高まっています。

セミナーで得られる知識

参加者は、データセンターや電気自動車（xEV）におけるパワーデバイスの役割、SiCおよびGaNデバイスの最新技術、そしてそれに伴う設計と製造プロセスについて学ぶことができます。特に、現状の課題である性能や価格の面についても触れています。

セミナーの構成

セミナーは、途中休憩を挟みながら以下の内容で進行します。
1. パワーエレクトロニクスの基礎
2. 最新シリコンパワーデバイスの進展
3. SiCパワーデバイスの現状と課題
4. GaNパワーデバイスの現状と課題
5. 高温対応実装技術

講師の紹介

講師は、筑波大学の岩室憲幸教授です。岩室教授は、大手企業での開発経験を経て、現在もパワーデバイスの研究と技術開発に貢献しているエキスパートです。彼は数多くの著書を刊行しており、特にSiC/GaN技術において豊富な知識を持っています。

参加方法と注意事項

参加を希望する方は、シーエムシー・リサーチの公式サイトからお申し込みください。視聴用URLは、申し込み後にメールで送信されます。

セミナー中の録音や撮影は許可されておりませんので、予めご了承ください。これは他の参加者に配慮した重要なルールです。

このセミナーは、次世代パワーデバイスの技術に関心のあるエンジニアや研究者にとって、貴重な学びの場となるでしょう。興味のある方はぜひご参加ください。