SiC/GaNパワーデバイスの最新技術を深掘りするセミナー開催

次世代技術の導入に向けた必聴セミナー

2025年8月28日、シーエムシー・リサーチが主催するオンラインセミナーでは、SiC/GaNパワーデバイスに関する重要な知識が得られます。このセミナーは、筑波大学の岩室憲幸教授を講師としてお迎えし、次世代自動車やデータセンター用の高性能電源の開発状況を共有します。受講費用は一般55,000円（税込）、登録会員は49,500円（税込）、アカデミック価格は26,400円（税込）です。

セミナーの内容

このセミナーでは、次のようなポイントが提供されます：

- データセンターおよびxEV（電動車両）でのパワーデバイス活用法
- 最新技術動向に関する包括的な理解
- Si、SiCおよびGaNデバイスの特性と設計に関する知識
- 最新のプロセス技術

セミナーはZOOMを用いて行われ、参加者は事前に講義内容についての質問をすることが可能です。質疑応答の時間も設けられ、相互交流の場として活用されます。

哲学と運用の時代背景

2024年現在、世界のほとんどの国が自動車の電動化へと向かっています。2030年代には主要国がガソリン車の新車販売を禁止すると宣言しており、これはxEVがもはや一過性のものでないことを示しています。また、データセンターの電力消費の増大により、高効率の電源が求められるようになっています。そこで重要なのが、SiC/GaNパワーデバイスの存在です。

これらの技術が普及することにより、パワーデバイスは今後の電動化の流れを加速させる要因となり得ます。

現状の課題と今後の展望

一方で、SiC/GaNパワーデバイスは、性能や信頼性、価格において未だ市場の要求に応えきれていないという現実もあります。このセミナーでは、シリコンデバイスとの比較やこれら新素材デバイスが抱える課題についても触れていく予定です。参加者は、これらの情報を通じて、自身の業務にどのように役立てられるかを考える機会となるでしょう。

申込方法

セミナーはZoomを利用し、参加希望の方はシーエムシー・リサーチの公式サイトより申し込む必要があります。参加申込後、視聴用のURLがメールで送付されます。ぜひ、多くの皆様にご参加いただき、最新情報を得る貴重な機会をお見逃しなく。

講師プロフィール

岩室憲幸教授は、長年にわたってIGBTやWBG（ワイドバンドギャップ）デバイスの研究開発に携わってこられました。博士号を有し、業界内での豊富な経験を有する彼が、新しいパワーデバイスの動向をどのように捉え、解説されるのか、参加者の期待が高まります。

ぜひ皆様、このセミナーで次世代技術の進展を実感してください。