次世代パワー半導体技術セミナー開催、結晶欠陥評価の最新情報を提供

次世代パワー半導体とその評価技術

技術の進展は、私たちの生活や産業を支える基盤となる重要な要素です。特に、パワー半導体技術は、多くの電子機器や産業機械の心臓部とも言える存在であり、その発展は期待されています。6月30日に開催される「次世代パワー半導体とパワーデバイスの結晶欠陥評価技術とその動向」セミナーは、その最新の情報を手に入れる貴重な機会です。

セミナーの概要

このセミナーでは、三重大学の姚永昭教授が講師を務め、次世代パワー半導体に関連する結晶欠陥評価技術の最新の動向について詳しく解説します。新材料である4H-SiC、GaN、β-GaO、AlNなどのワイドギャップ半導体は、高電力密度や低損失、高温における安定性といった優れた性能を持っており、これらの材料を活用したパワーデバイスの研究開発が進展しています。しかし、これらの半導体材料は結晶成長が難しく、結晶中に格子欠陥が高密度で含まれている可能性があるため、これを適切に評価することが求められます。

セミナーで学べること

参加者は、結晶の構造や欠陥の種類、評価方法、さらにはそれらがデバイス性能に与える影響について学ぶことができます。具体的には、以下のようなテーマが取り扱われます。

- 結晶中の基本的な構造とその欠陥
- 様々な欠陥評価手法の原理
- 欠陥がデバイスに及ぼす影響とその対策

セミナーはZoomを利用して行われ、質疑応答の時間も設けられているため、参加者は直接疑問を投げかけることが可能です。また、受講者には資料が提供され、研究や業務に役立つ情報が得られるでしょう。

参加費用と申し込み情報

一般の参加費は44,000円（税込）ですが、メルマガ会員は39,600円（税込）、学術関係者向けには26,400円（税込）と、受講者に応じた価格設定が行われています。お申し込みは、シーエムシー・リサーチの公式サイトから行うことができます。

今後の開催予定

他にも、シーエムシー・リサーチでは、様々な技術セミナーやウェビナーが計画されています。これらに参加することで、技術の最新情報や業界の動向を把握することができます。

このセミナーは、半導体研究や開発に関わる専門家にとって、非常に有意義な内容となっておりますので、興味のある方はぜひ参加してみてはいかがでしょうか。